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Mitsubishi Electric développe une technologie de simulation de circuit de haute précision pour ce MOSFET au carbure de silicium 2020-07-11

Mitsubishi Electric développe un circuit de haute précision


Technologie de simulation pour ce MOSFET en carbure de silicium





Récemment, lors de l'exposition PCIM Europe 2020 qui s'est tenue en ligne, Mitsubishi Electric a annoncé le développement d'un modèle de programme de simulation générale de circuits intégrés (SPICE) très précis pour analyser les circuits électroniques des semi-conducteurs/dispositifs de puissance discrets.



Mitsubishi a déclaré que la forme d'onde de commutation à grande vitesse simulée par le modèle est presque la même que le résultat de la mesure réelle. Cette précision est actuellement inégalée par les autres technologies de l'industrie, et on s'attend à ce qu'elle apporte une conception de circuit plus efficace au convertisseur de puissance.



Dans le même temps, Mitsubishi Electric prévoit également de continuer à y ajouter plusieurs paramètres liés à la température, afin que le modèle SPICE puisse également fonctionner normalement à des températures élevées.


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